Princíp činnosti plynového lasera
Pomocný plyn hélium má v atóme dve netastabilné úrovne 21 s a 23 s, ktoré sa načerpajú zrážkami s elektrónmi vytvorenými výbojom v plyne. Doba života častíc na týchto hladinách je asi 1 ms.
Prenos energie od vybudených atómov hélia na vybudené atómy neónu sa uskutočňuje nepružnými zrážkami cez neónové úrovne 3s2 a 2s2, ktoré sú energeticky veľmi blízke úrovniam hélia 21s a 23s. Atómy hélia po odovzdaní svojej energie sa vracajú do základného stavu.
Pre uvedený pár energetických hladín 3s2 a 2s2 takto získame proti hladinám 3p4 a 2p4 inverznú populáciu. Prechod 3s2 →3p4 zodpovedá energii fotónov vyžiarených na vlnovej dĺžke 3,39 μm, prechod 3s2 →2s22s2 žiareniu s vlnovou dĺžkou 0,64 μm a prechod 2s2 →2p4 vyžiari energiu na vlnovej dĺžke 1,15 μm. Tento typ lasera môže pracovať aj na iných, tu neuvedených prechodoch. Hladiny 3p4 a 2p4 majú malú dobu života, rádovo 10-8 s, teda sa rýchlo vyprázdňujú, čoho sprievodným znakom je oranžovo-červené spontánne žiarenie typické pre neón a prejdú na úroveň 1s.
c) Energetický diagram lasera He – Ne
Princíp činnosti polovodičového lasera.
Princíp činnosti je založený na vlnovodnom jave. Optické žiarenie vzniká v injekčných polovodičových laseroch a ohraničuje sa v dielektrickom vlnovode, vytvorenom v samotnom laseri, alebo v elektroluminiscenčnej dióde na báze heteropriechodov. Na obr. 33. d) je trojvrstvový dielektrický vlnovod s indexom lomu n1, n2, n3. Vlnovodný jav vzniká vtedy, keď n2 > n1 ≥ n3.
V uvedenom prípade je uhol dopadu lúča Θ12 na rozhranie medzi vrstvami 1 a 2 na obr. 33. e) väčší ako kritický uhol Θc
Θc = arc sin (n1/n2)
Analogicky možno napísať vzťah aj pre rozhrania medzi vrstvami 2 a 3. Pri splnení podmienok n2 > n1 ≥ n3 sa elektromagnetické žiarenie šíri v smere, ktorý je rovnobežný s rozhraním vlnovodných vrstiev.
. d, e) Vlnovod tvorený dvojitou heteroštruktúrou polovodičového lasera.
V homoštruktúrach je rozdiel medzi indexom lomu strednej vrstvy vlnovodu a menšími indexmi lomu len 0,01 až 0,03. Taký malý rozdiel v indexoch lomu oblastí N a P, teplotnými gradientmi, zmenami indexov lomu v dôsledku injekcie nosičov prúdu a v dôsledku zosilnenia žiarenia.
V heteroštruktúrach sú skoky indexov lomu susedných vrstiev oveľa väčšie, teda v heterolaseroch možno vytvoriť presne ohraničený vlnovod. Ak sú známe rozmery systému a indexy lomu vrstiev, možno vypočítať rozloženie optického poľa